MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 74 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 650-3678
Codice costruttore:: IRF4905SPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 74 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 650-3678
Codice costruttore:: IRF4905SPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 70 A, dissipazione di potenza massima di 170 W - IRF4905STRLPBF

Questo MOSFET ad alta corrente è adatto a diverse applicazioni nell'ambito dell'automazione e dell'elettronica. Con una corrente di drain continua massima di 70A, funziona con tensioni drain-source fino a 55V. La sua configurazione in modalità enhancement soddisfa i requisiti di prestazione, mentre il basso RDS(on) massimizza l'efficienza energetica. Progettato per applicazioni ad alta potenza, questo MOSFET offre una stabilità termica che lo rende adatto a condizioni operative rigorose.

Caratteristiche e vantaggi

• Migliora l'efficienza del sistema grazie ai bassi valori di resistenza all'accensione
• Funziona in modo efficace in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C
• Supporta velocità di commutazione elevate per migliorare le prestazioni
• Design robusto per condizioni valanghive ripetitive
• Fornito in un pacchetto D2PAK TO-263 per un semplice montaggio in superficie

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia e nei convertitori
• Appropriato per il controllo motorio che richiedono un'elevata efficienza
• Integrato negli alimentatori a commutazione per migliorare le prestazioni
• Applicabile in ambienti automobilistici che richiedono un controllo affidabile
• Impiegato nell'automazione industriale che richiede una notevole gestione della potenza

A quale temperatura massima può funzionare questo dispositivo?

Il dispositivo ha una temperatura operativa massima di +150°C, che garantisce la stabilità in condizioni ambientali variabili.

In che modo la bassa RDS(on) è vantaggiosa per la progettazione dei circuiti?

La bassa RDS(on) riduce al minimo le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del circuito e consentendo un funzionamento più freddo.

Questo componente è in grado di gestire correnti pulsate?

Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 280 A, rendendolo adatto ad applicazioni dinamiche.

Quali sono i parametri chiave per selezionare le tensioni di pilotaggio compatibili?

La tensione gate-to-source deve rimanere nell'intervallo compreso tra -20 V e +20 V per garantire un funzionamento efficace senza rischio di danni.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	74 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.54mm
Carica gate tipica @ Vgs	180 nC a 10 V
Larghezza	8.81mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.69mm