- Codice RS:
- 671-0352
- Codice costruttore:
- FDD5614P
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1pz in confezione da 5
0,594 €
(IVA esclusa)
0,725 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
5 - 20 | 0,594 € | 2,97 € |
25 - 120 | 0,394 € | 1,97 € |
125 - 620 | 0,30 € | 1,50 € |
625 - 1245 | 0,252 € | 1,26 € |
1250 + | 0,246 € | 1,23 € |
*prezzo indicativo
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- Codice RS:
- 671-0352
- Codice costruttore:
- FDD5614P
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | P |
Corrente massima continuativa di drain | 15 A |
Tensione massima drain source | 60 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo di package | DPAK (TO-252) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 100 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 42 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 15 nC a 10 V |
Larghezza | 6.22mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Lunghezza | 6.73mm |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 2.39mm |
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