MOSFET onsemi, canale P, 451 mΩ, 5,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 671-1030
Codice costruttore:: FQD7P06TM
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 451 mΩ, 5,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 671-1030
Codice costruttore:: FQD7P06TM
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin DPAK
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5,4 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	451 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Carica gate tipica @ Vgs	6,3 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.22mm
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET onsemi, canale P, 451 mΩ, 5,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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