1 MOSFET onsemi Singolo, canale Tipo N, 3.6 Ω, 3.9 A 800 V, TO-263 Miglioramento, 3 Pin FQB4N80TM

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0908
Codice costruttore:
FQB4N80TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

QFET

Tipo di package

TO-263

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.13W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Altezza

4.83mm

Numero elementi per chip

1

Paese di origine:
MY

MOSFET a canale N QFET®, fino a 5,9 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® FairField Semiconductor utilizzano una tecnologia avanzata e proprietaria per offrire le migliori prestazioni operative della classe per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, PFC (correzione del fattore di potenza), convertitori c.c.-c.c., pannelli display al plasma (PDP), ballast di illuminazione e controllo del movimento.

Offrono una perdita di stato on ridotta riducendo la resistenza di on (RDS(on)), e una perdita di commutazione ridotta riducendo la carica del gate (Qg) e la capacità di uscita (Coss). Utilizzando la tecnologia di processo QFET® avanzata, Fairchild è in grado di offrire una cifra di merito (FOM) migliorata rispetto ai dispositivi MOSFET Planar concorrenti.

Transistor MOSFET, ON Semi


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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

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