MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 10 mΩ Miglioramento, 130 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP4668PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
688-7027
Codice costruttore:
IRFP4668PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

520W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

161nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.7mm

Larghezza

5.31 mm

Lunghezza

15.87mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 130A di corrente continua massima di drain, 200V di tensione massima di source drain - IRFP4668PBF


Questo MOSFET è un dispositivo a canale N ad alte prestazioni progettato per una gestione efficiente della potenza in varie applicazioni. Le dimensioni sono 15,87 mm di lunghezza, 5,31 mm di larghezza e 20,7 mm di altezza, in un contenitore TO-247AC. Con specifiche robuste, tra cui una corrente di drenaggio continua massima di 130A e una tensione di drenaggio-sorgente massima di 200V, è ideale per le applicazioni elettriche più esigenti.

Caratteristiche e vantaggi


• Corpo diodo potenziato per migliorare le prestazioni di commutazione

• La bassa Rds(on) di 10mΩ riduce al minimo la perdita di potenza

• Alta efficienza nei circuiti di raddrizzamento sincrono

• Maggiore robustezza in condizioni di dV/dt dinamico

• Prestazioni termiche e da valanga completamente caratterizzate per garantire affidabilità

Applicazioni


• Utilizzato nella commutazione di potenza ad alta velocità

• Adatto ai sistemi di continuità

• Ideale per circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza

• Applicabile in vari sistemi di automazione e di alimentazione industriale

Quali sono i valori termici per un funzionamento sicuro?


La potenza massima dissipata è di 520 W a 25 °C e la temperatura di giunzione non deve superare i 175 °C per garantire un funzionamento sicuro.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulla funzionalità?


La tensione di soglia del gate varia da 3V a 5V, facilitando un controllo efficiente durante le operazioni di commutazione, che è fondamentale per ottenere prestazioni affidabili nelle applicazioni di potenza.

Questo MOSFET è in grado di gestire carichi di corrente pulsata elevati?


Sì, è classificato per una corrente di drenaggio pulsata fino a 520A, il che lo rende adatto ad applicazioni pesanti che richiedono capacità di gestione di correnti elevate.

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