MOSFET Nexperia, canale P, 900 mΩ, 470 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 725-8366P
Codice costruttore:: BSH203,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 900 mΩ, 470 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 725-8366P
Codice costruttore:: BSH203,215
Costruttore:: Nexperia

Trans MOSFET PCH 30V 0.47A 3Pin TO236AB
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	470 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	900 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.68V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	417 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	2,2 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 900 mΩ, 470 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P, Nexperia