MOSFET onsemi, canale N, 3,3 mΩ, 100 A, Power 33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 739-6285
Codice costruttore:: FDMC7660
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 3,3 mΩ, 100 A, Power 33, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità**

1,50 €

(IVA esclusa)

1,83 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Nastro/i	Per Nastro
1 - 9	1,50 €
10 - 99	1,29 €
100 - 499	1,11 €
500 - 999	0,99 €
1000 +	0,89 €

**prezzo indicativo

Confronta

Codice RS:: 739-6285
Codice costruttore:: FDMC7660
Costruttore:: onsemi

MOSFET N Channel 30V 8 Pin Power 33
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	Power 33
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	41 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	54 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET onsemi, canale N, 3,3 mΩ, 100 A, Power 33, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

Link consigliati