2 MOSFET onsemi Serie, canale N, 9.2 mΩ, 26 A 30 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDPC8013S
- Codice RS:
- 774-1180
- Codice costruttore:
- FDPC8013S
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,50 € | 5,00 € |
| 20 - 198 | 2,16 € | 4,32 € |
| 200 - 998 | 1,865 € | 3,73 € |
| 1000 - 1998 | 1,645 € | 3,29 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 774-1180
- Codice costruttore:
- FDPC8013S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Serie | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Serie | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Altezza 0.75mm | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.
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Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.