2 MOSFET onsemi Serie, canale N, 9.2 mΩ, 26 A 30 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDPC8013S

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

5,15 €

(IVA esclusa)

6,28 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 17 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 182,575 €5,15 €
20 - 1982,225 €4,45 €
200 - 9981,92 €3,84 €
1000 - 19981,695 €3,39 €
2000 +1,54 €3,08 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
774-1180
Codice costruttore:
FDPC8013S
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

800mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Configurazione transistor

Serie

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

750μm

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.

Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.