MOSFET onsemi, canale N 30 V, 2 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2370,00 €

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Codice RS:
166-1728
Codice costruttore:
FDMC8010
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

54W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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