MOSFET onsemi, canale N, 2 mΩ, 30 A, Power 33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 774-1187
Codice costruttore:: FDMC8010
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2 mΩ, 30 A, Power 33, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 774-1187
Codice costruttore:: FDMC8010
Costruttore:: onsemi

FDMC8010, N-Channel PowerTrench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	30 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	Power 33
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	54 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	67 nC a 10 V
Lunghezza	3.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, 2 mΩ, 30 A, Power 33, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

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