MOSFET onsemi, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-0605
Codice costruttore:: NTJD1155LT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 780-0605
Codice costruttore:: NTJD1155LT1G
Costruttore:: onsemi

NTJD1155L Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,3 A
Tensione massima drain source	8 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	320 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Interruttore di carico N+P
Tensione massima gate source	+8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.35mm
Lunghezza	2.2mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET onsemi, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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