MOSFET Vishay, canale N, 1,5 Ω, 5,3 A, IPAK (TO-251AA), Su foro

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,3 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

IPAK (TO-251AA)

Serie

D Series

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,5 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

104 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Larghezza

2.39mm

Carica gate tipica @ Vgs

10 nC a 10 V

Lunghezza

6.73mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

6.22mm