MOSFET Nexperia, canale N, 5,6 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

5,6 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

306 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

141 nC a 10 V

Larghezza

4.7mm

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.3mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

16mm