MOSFET Vishay, canale N, 110 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	28 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	9.65mm
Carica gate tipica @ Vgs	64 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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