MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 0.95 Ω Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB6N80AE-GE3

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Codice RS:
268-8294
Codice costruttore:
SIHB6N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-263

Serie

SIHB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay serie E ha basse perdite di commutazione e di conduzione, viene utilizzato in applicazioni quali alimentatori switching, alimentatori per server e alimentatori di correzione del fattore di potenza. È dotato di diodo Zener integrato per la protezione ESD.

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

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