MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 160 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF530STRR-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2613
Codice costruttore:
SIHF530STRR-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiHF530S

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Tensione diretta Vf

2.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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