MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 160 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF530STRR-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

502,40 €

(IVA esclusa)

612,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +0,628 €502,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
177-7490
Codice costruttore:
SIHF530STRR-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHF530S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

2.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.