MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 180 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, A-262, Foro passante SIHF640L-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2635
Codice costruttore:
SIHF640L-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

SiHF640L

Tipo di package

A-262

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.83 mm

Altezza

11.3mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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