MOSFET Infineon, canale P, 98 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-8863
Codice costruttore:: IRF7314TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 98 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 826-8863
Codice costruttore:: IRF7314TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7314TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

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Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	98 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.7V
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	19 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale P, 98 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon

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