MOSFET Texas Instruments, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220

Serie

NexFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

20 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

118 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4.7mm

Carica gate tipica @ Vgs

17,1 nC a 0 V

Lunghezza

10.67mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.1V

Altezza

16.51mm