MOSFET Texas Instruments, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 900-9964
Codice costruttore:: CSD19534KCS
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 900-9964
Codice costruttore:: CSD19534KCS
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220
Serie	NexFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	118 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.7mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	17,1 nC a 0 V
Lunghezza	10.67mm
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.1V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.51mm

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MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments

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