MOSFET Infineon, canale N 30 V, 27 mΩ Miglioramento, 5.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
913-4042
Codice costruttore:
IRLML0030TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.6nC

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, 5,3A di corrente di scarico continua massima, 1,3W di dissipazione di potenza massima - IRLML0030TRPBF


Questo MOSFET è progettato per garantire una commutazione efficiente dei circuiti elettronici in varie applicazioni industriali. La sua configurazione FET in modalità enhancement garantisce prestazioni ottimali per le attività di commutazione del carico o del sistema. Come componente chiave nei settori dell'automazione e dell'elettronica, offre versatilità ed elevata affidabilità, rendendolo una scelta fondamentale per gli ingegneri.

Caratteristiche e vantaggi


• la corrente di drenaggio continua di 5,3A estende la capacità operativa

• la tensione massima di drain-source di 30 V supporta applicazioni rigorose

• La bassa Rds(on) di 27 mΩ riduce al minimo le perdite di energia durante il funzionamento

• Compatibile con la tecnologia di montaggio superficiale per una semplice integrazione

• La classificazione ad alta temperatura di +150 °C mantiene le prestazioni in ambienti difficili

• Conformi alla normativa RoHS, promuovono una progettazione e una produzione ecocompatibili

Applicazioni


• Utilizzato nell'interfacciamento del microcontrollore per la gestione del carico

• Adatto all'elettronica automobilistica per il controllo degli interruttori

• Impiegato nei circuiti di alimentazione per una gestione efficiente della corrente

• Ideale per l'elettronica di consumo che richiede soluzioni di alimentazione compatte

• Applicato nei sistemi di automazione per operazioni di controllo coerenti

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sul comportamento di commutazione?


La tensione di soglia del gate specifica la tensione minima gate-source necessaria per attivare il dispositivo, influenzandone la velocità di commutazione e l'efficienza operativa.

Quali sono le considerazioni da fare durante l'installazione per quanto riguarda la gestione termica?


È necessario garantire un'adeguata dissipazione del calore, poiché la temperatura massima di funzionamento è di +150 °C, fondamentale per sostenere le prestazioni e la sicurezza.

Può essere integrato con i circuiti esistenti progettati per altre tecnologie?


Sì, presenta una piedinatura standard del settore, che garantisce la compatibilità con le varie tecniche di montaggio superficiale esistenti.

Quali sono le implicazioni della tensione massima di gate-source?


È necessario rispettare la tensione nominale di ±20 V per evitare danni al gate e garantire un funzionamento stabile entro i limiti specificati.

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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