MOSFET Vishay, canale N 30 V, 1.35 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRA00DP-T1-GE3

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Codice RS:
919-4246
Codice costruttore:
SIRA00DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

147nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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