MOSFET Vishay, canale N, 1,35 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9367
Codice costruttore:: SIRA00DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 1,35 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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125 - 245	1,638 €	8,19 €
250 - 495	1,54 €	7,70 €
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Codice RS:: 787-9367
Codice costruttore:: SIRA00DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiRA00DP, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.26mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	147 nC a 10 V
Lunghezza	6.25mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.12mm

MOSFET Vishay, canale N, 1,35 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

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