Transistor bipolare RF Infineon BFP196WH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 150 mA, 20 V, Superficie
- Codice RS:
- 259-1417
- Codice Distrelec:
- 304-40-484
- Codice costruttore:
- BFP196WH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 259-1417
- Codice Distrelec:
- 304-40-484
- Codice costruttore:
- BFP196WH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 150mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 20V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 700mW | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 70 | |
| Minima temperatura operativa | -60°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 2V | |
| Frequenza transizione massima ft | 7.5GHz | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | BFP196W | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 2.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 150mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 20V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 700mW | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 70 | ||
Minima temperatura operativa -60°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 2V | ||
Frequenza transizione massima ft 7.5GHz | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie BFP196W | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 2.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor RF al silicio NPN Infineon è utilizzato per amplificatori a banda larga a bassa rumorosità e bassa distorsione in sistemi di antenna e telecomunicazioni fino a 1,5 GHz a correnti di collettore da 20 mA a 80 mA.
Amplificatore di potenza per sistemi DECT e PCN
Contenitore senza piombo (conforme a RoHS)
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