IGBT transistor inverter di commutazione | RS
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    IGBT

    Gli IGBT sono semiconduttori utilizzati principalmente come dispositivi di commutazione per consentire o arrestare il flusso di potenza.

    Gli IGBT inverter presentano molti vantaggi in quanto si tratta di un incrocio tra due dei transistor più comuni, transistor bipolari e MOSFET.

    IGBT significato

    IGBT transistor è un acronimo per transistor bipolare a gate isolato.

    IGBT funzionamento

    I transistor IGBT sono dispositivi a tre terminali che applicano una tensione a un semiconduttore per bloccarne il flusso di alimentazione quando è spento e consentirlo invece nello stato acceso.

    Sono controllati da una struttura di gate con semiconduttore a ossido di metallo.

    Quali sono i diversi tipi di transistor IGBT?

    Esistono vari tipi di transistor IGBT e sono classificati in base a parametri quali la tensione massima, corrente collettore, tipo di imballaggio e velocità di commutazione. Il tipo di transistor IGBT scelto varia a seconda del livello esatto di potenza e le applicazioni considerate. Nel catalogo RS online è disponibile ampia gamma di IGBT, inclusi modelli di IGBT di potenza, IGBT 400A 1200V e molti altri per ogni esigenza applicativa.

    Qual è la differenza tra MOSFET e IGBT?

    Gli IGBT hanno una caduta di tensione diretta molto più bassa rispetto a un MOSFET convenzionale in dispositivi con tensione di blocco nominale più elevata. Tuttavia, I MOSFET sono caratterizzati da una tensione diretta inferiore a densità di corrente inferiori grazie all'assenza del diodo Vf nell'uscita BJT dell'IGBT.

    Un modulo transistor IGBT (transistor bipolare a gate isolato) è costituito da uno o più IGBT ed è utilizzato in molti tipi di apparecchiature industriali grazie alla sua affidabilità. I transistor IGBT sono un incrocio tra transistor a giunzione bipolare (BJT) e MOSFET. Sono estremamente efficienti e a commutazione rapida, inoltre hanno caratteristiche di corrente elevata e bassa tensione di saturazione.

    Applicazioni

    I transistor di potenza IGBT vengono ampiamente utilizzati per la commutazione dell'alimentazione elettrica in applicazioni quali la saldatura, automobili elettriche, condizionatori d'aria, treni e gruppi di continuità. Altre applicazioni includono:

    • Motori elettrici
    • Gruppi di continuità
    • Installazioni di pannelli solari
    • Saldatrici
    • Convertitori di potenza e inverter
    • Caricabatterie induttivi
    • Fornelli induttivi

    2452 prodotti trovati per IGBT

    onsemi
    75 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    375 W
    1
    TO-247
    -
    3
    -
    Singolo
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    60 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    Infineon
    15 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    217 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    96 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO247AC
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.9 x 5.3 x 20.3mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Semikron Danfoss
    265 A
    N
    600 V
    Dual Half Bridge (DHB)
    ±20V
    -
    -
    SEMITRANS2
    Montaggio a pannello
    7
    -
    Serie
    94 x 34 x 30.5mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    onsemi
    80 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    349 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    onsemi
    75 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    375 W
    1
    TO-247
    -
    3
    -
    Singolo
    -
    -
    -
    -
    -
    onsemi
    40 A
    N
    1200 V
    -
    ±25V
    -
    -
    TO-3PN
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.8 x 5 x 18.9mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    onsemi
    75 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    375 W
    1
    TO-247
    -
    3
    -
    Singolo
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    30 A
    N
    1350 V
    -
    ±20V
    349 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    15 A
    N
    1200 V
    Single
    ±20V
    176 W
    1
    TO-247-3
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    600 A
    -
    1200 V
    -
    +/-20V
    3 kW
    -
    Modulo
    Montaggio a pannello
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    80 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    250 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    onsemi
    120 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    600 W
    -
    TO-247AB
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    80 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    483 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    STMicroelectronics
    120 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    469 W
    -
    TO-3P
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    15.8 x 5 x 20.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    60 A
    N
    650 V
    Single
    ±20V
    120 W
    1
    TO-247-3-HCC
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    139 A
    N
    1200 V
    Single
    ± 20V
    658 W
    1
    SOT-227
    Montaggio a pannello
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IXYS
    100 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    750 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    50kHz
    Singolo
    16.26 x 5.3 x 21.46mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    30 A
    N
    1350 V.
    -
    20V
    330 W
    1
    TO-247
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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