IGBT transistor inverter di commutazione | RS
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    IGBT

    Gli IGBT sono semiconduttori utilizzati principalmente come dispositivi di commutazione per consentire o arrestare il flusso di potenza.

    Gli IGBT inverter presentano molti vantaggi in quanto si tratta di un incrocio tra due dei transistor più comuni, transistor bipolari e MOSFET.

    IGBT significato

    IGBT transistor è un acronimo per transistor bipolare a gate isolato.

    IGBT funzionamento

    I transistor IGBT sono dispositivi a tre terminali che applicano una tensione a un semiconduttore per bloccarne il flusso di alimentazione quando è spento e consentirlo invece nello stato acceso.

    Sono controllati da una struttura di gate con semiconduttore a ossido di metallo.

    Quali sono i diversi tipi di transistor IGBT?

    Esistono vari tipi di transistor IGBT e sono classificati in base a parametri quali la tensione massima, corrente collettore, tipo di imballaggio e velocità di commutazione. Il tipo di transistor IGBT scelto varia a seconda del livello esatto di potenza e le applicazioni considerate. Nel catalogo RS online è disponibile ampia gamma di IGBT, inclusi modelli di IGBT di potenza, IGBT 400A 1200V e molti altri per ogni esigenza applicativa.

    Qual è la differenza tra MOSFET e IGBT?

    Gli IGBT hanno una caduta di tensione diretta molto più bassa rispetto a un MOSFET convenzionale in dispositivi con tensione di blocco nominale più elevata. Tuttavia, I MOSFET sono caratterizzati da una tensione diretta inferiore a densità di corrente inferiori grazie all'assenza del diodo Vf nell'uscita BJT dell'IGBT.

    Un modulo transistor IGBT (transistor bipolare a gate isolato) è costituito da uno o più IGBT ed è utilizzato in molti tipi di apparecchiature industriali grazie alla sua affidabilità. I transistor IGBT sono un incrocio tra transistor a giunzione bipolare (BJT) e MOSFET. Sono estremamente efficienti e a commutazione rapida, inoltre hanno caratteristiche di corrente elevata e bassa tensione di saturazione.

    Applicazioni

    I transistor di potenza IGBT vengono ampiamente utilizzati per la commutazione dell'alimentazione elettrica in applicazioni quali la saldatura, automobili elettriche, condizionatori d'aria, treni e gruppi di continuità. Altre applicazioni includono:

    • Motori elettrici
    • Gruppi di continuità
    • Installazioni di pannelli solari
    • Saldatrici
    • Convertitori di potenza e inverter
    • Caricabatterie induttivi
    • Fornelli induttivi

    2452 prodotti trovati per IGBT

    Infineon
    15 A
    N
    1200 V
    Single
    ±20V
    176 W
    1
    TO-247-3
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    -
    -
    -
    -
    -
    Mitsubishi Electric
    300 A
    -
    600 V
    Dual
    20V
    2,21 kW
    2
    94x48mm
    -
    -
    -
    Doppio
    -
    -
    -
    -
    -
    Semikron Danfoss
    232 A
    N
    1200 V
    Single
    ±20V
    -
    -
    SEMITRANS2
    Montaggio a pannello
    5
    -
    Singolo
    94 x 34 x 30.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    40 A
    N
    1200 V
    -
    20V
    500 W
    1
    TO-247
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    40 A
    -
    650 V
    -
    ±20V
    45 W
    1
    TO-220FP
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    150 A
    -
    600 V
    -
    ±20V
    428 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 21.1 x 5.21mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Semikron Danfoss
    100 A
    N
    1200 V
    Dual Half Bridge (DHB)
    ±20V
    -
    -
    SEMITRANS2
    Montaggio a pannello
    7
    -
    Serie
    94.5 x 34.5 x 30.5mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    Infineon
    30 A
    N
    1600 V.
    -
    20V
    263 W
    1
    TO-247
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Semikron Danfoss
    114 A
    N
    1200 V
    Dual Half Bridge (DHB)
    ±20V
    -
    -
    SEMITRANS2
    Montaggio a pannello
    7
    -
    Serie
    94 x 34 x 30.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    STMicroelectronics
    60 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    375 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Semikron Danfoss
    200 A
    -
    1200 V
    Half Bridge
    ±15.0V
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    40 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO247AC
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.9 x 5.3 x 20.3mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    STMicroelectronics
    60 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    260 W
    -
    TO-3P
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.8 x 5 x 14.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    STMicroelectronics
    40 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    283 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    140 A
    -
    600 V
    -
    +/-20V
    714 W
    1
    PG-TO247-3
    Su foro
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    60 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    187 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    40 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    230 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    40 A
    -
    600 V
    -
    +/-20V
    170 W
    1
    PG-TO247-3
    Su foro
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    41 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    166 W
    1
    TO-220
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    10.36 x 4.57 x 15.95mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    STMicroelectronics
    20 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    167 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +175 °C
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