IGBT transistor inverter di commutazione | RS
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    IGBT

    Gli IGBT sono semiconduttori utilizzati principalmente come dispositivi di commutazione per consentire o arrestare il flusso di potenza.

    Gli IGBT inverter presentano molti vantaggi in quanto si tratta di un incrocio tra due dei transistor più comuni, transistor bipolari e MOSFET.

    IGBT significato

    IGBT transistor è un acronimo per transistor bipolare a gate isolato.

    IGBT funzionamento

    I transistor IGBT sono dispositivi a tre terminali che applicano una tensione a un semiconduttore per bloccarne il flusso di alimentazione quando è spento e consentirlo invece nello stato acceso.

    Sono controllati da una struttura di gate con semiconduttore a ossido di metallo.

    Quali sono i diversi tipi di transistor IGBT?

    Esistono vari tipi di transistor IGBT e sono classificati in base a parametri quali la tensione massima, corrente collettore, tipo di imballaggio e velocità di commutazione. Il tipo di transistor IGBT scelto varia a seconda del livello esatto di potenza e le applicazioni considerate. Nel catalogo RS online è disponibile ampia gamma di IGBT, inclusi modelli di IGBT di potenza, IGBT 400A 1200V e molti altri per ogni esigenza applicativa.

    Qual è la differenza tra MOSFET e IGBT?

    Gli IGBT hanno una caduta di tensione diretta molto più bassa rispetto a un MOSFET convenzionale in dispositivi con tensione di blocco nominale più elevata. Tuttavia, I MOSFET sono caratterizzati da una tensione diretta inferiore a densità di corrente inferiori grazie all'assenza del diodo Vf nell'uscita BJT dell'IGBT.

    Un modulo transistor IGBT (transistor bipolare a gate isolato) è costituito da uno o più IGBT ed è utilizzato in molti tipi di apparecchiature industriali grazie alla sua affidabilità. I transistor IGBT sono un incrocio tra transistor a giunzione bipolare (BJT) e MOSFET. Sono estremamente efficienti e a commutazione rapida, inoltre hanno caratteristiche di corrente elevata e bassa tensione di saturazione.

    Applicazioni

    I transistor di potenza IGBT vengono ampiamente utilizzati per la commutazione dell'alimentazione elettrica in applicazioni quali la saldatura, automobili elettriche, condizionatori d'aria, treni e gruppi di continuità. Altre applicazioni includono:

    • Motori elettrici
    • Gruppi di continuità
    • Installazioni di pannelli solari
    • Saldatrici
    • Convertitori di potenza e inverter
    • Caricabatterie induttivi
    • Fornelli induttivi

    2452 prodotti trovati per IGBT

    Infineon
    35 A
    N
    1200 V
    -
    20V
    20 mW
    7
    EASY2B
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    onsemi
    80 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    240 W
    1
    D2PAK
    Montaggio superficiale
    3
    -
    Singolo
    10.67 x 9.65 x 4.58mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    30 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    217 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.03 x 5.16 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Semikron Danfoss
    616 A
    N
    1200 V
    Dual
    20V
    -
    2
    SEMITRANS3
    Montaggio a vite
    7
    12kHz
    Half Bridge
    106.4 x 61.4 x 30.5mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    75 A
    -
    650 V
    Single
    15V
    395 W
    2
    PG-TO247-3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Semikron Danfoss
    100 A
    -
    1200 V
    -
    ±15.0V
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    200 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    ISOTOP
    Montaggio a pannello
    4
    -
    Singolo
    38.2 x 25.5 x 9.1mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    STMicroelectronics
    80 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    283 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    60 A
    -
    600 V
    -
    ±20V
    187 W
    -
    PG-TO247-3
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    onsemi
    80 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    298 W
    -
    D2PAK (TO-263)
    Montaggio superficiale
    3
    1MHz
    Singolo
    10.67 x 11.33 x 4.83mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    Infineon
    200 A
    N
    1200 V
    Ponte trifase
    ±20V
    700 W
    -
    AG-ECONO3-4
    Montaggio a pannello
    -
    -
    Trifase
    122 x 62 x 17mm
    -
    -
    -
    +125 °C
    onsemi
    60 A
    -
    650 V
    -
    20V
    238 W
    30
    TO-247-3L
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IXYS
    200 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    1250 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    50kHz
    Singolo
    16.26 x 5.3 x 21.46mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Infineon
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    60 A
    N
    1200 V
    -
    ±25V
    220 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    onsemi
    60 A
    -
    650 V
    -
    20V
    238 W
    30
    TO-247-3L
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    75 A
    -
    1200 V
    -
    +/-20V
    500 W
    -
    Modulo
    Montaggio a pannello
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    25 A
    N
    1200 V
    Hex
    20V
    20 mW
    7
    EasyPIM
    -
    23
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    25 A
    Bidirezionale
    1350 V
    Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo
    ±20V
    340 W
    1
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    60 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    200 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +150 °C
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