Modulo IGBT Infineon F475R06W1E3BOMA1, VCE 1200 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-5370
Codice costruttore:
F475R06W1E3BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

275W

Numero transistor

4

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT Infineon è adatto per inverter ausiliari, sistemi UPS, riscaldamento induttivo, saldatura e applicazioni solari, ecc.

Caratteristiche elettriche

Basse perdite di commutazione, basso design induttivo

IGBT Trench 3

VCEsat con coefficiente di temperatura positivo

VCEsat basso

Caratteristiche meccaniche

Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica

Design compatto

Tecnologia dei contatti a saldare

Montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati

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