- Codice RS:
- 244-5380
- Codice costruttore:
- FP100R12KT4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
6 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Prezzo per Unità
241,93 €
(IVA esclusa)
295,15 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 1 | 241,93 € |
2 - 2 | 237,08 € |
3 + | 213,38 € |
- Codice RS:
- 244-5380
- Codice costruttore:
- FP100R12KT4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Corrente massima continuativa collettore | 100 A |
Tensione massima collettore emitter | 1200 V |
Tensione massima gate emitter | +/-20V |
Numero di transistor | 7 |
Dissipazione di potenza massima | 515 W |
- Codice RS:
- 244-5380
- Codice costruttore:
- FP100R12KT4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon