Modulo IGBT Infineon FP100R12KT4BOSA1, VCE 1200 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-5380
Codice costruttore:
FP100R12KT4BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

515W

Numero transistor

7

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

FP100R12KT4

Altezza

17mm

Lunghezza

122mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

62 mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT Infineon la massima corrente di collettore di Peak ripetitiva nominale è di 200 A e tensione di soglia di saturazione collettore-emettitore di 2,20 V, la tensione di soglia gate è di 6,4 V.

Corrente di taglio del collettore-emettitore 1,0 ma

Temperatura in condizioni di commutazione 150 °C.

Corrente di dispersione emettitore gate 100 na

Capacità di trasferimento inverso 0,27 NF

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