Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A
- Codice RS:
- 244-5380
- Codice costruttore:
- FP100R12KT4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5380
- Codice costruttore:
- FP100R12KT4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Dissipazione di potenza massima | 515 W | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Numero di transistor 7 | ||
Dissipazione di potenza massima 515 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF