Modulo IGBT Infineon FP15R12W1T4BOMA1, VCE 1200 V

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

39,85 €

(IVA esclusa)

48,62 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 23 unità in spedizione dal 06 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 139,85 €
2 - 437,87 €
5 - 934,09 €
10 +33,88 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-5387
Codice costruttore:
FP15R12W1T4BOMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

7

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

12mm

Lunghezza

62.8mm

Larghezza

33.8 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

FP15R12W1T4B

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT Infineon è adatto per inverter ausiliari, azionamenti per motori, condizionamento d'aria, ecc.

Caratteristiche elettriche

Basse perdite di commutazione, basso design induttivo

IGBT Trench 3

VCEsat con coefficiente di temperatura positivo

VCEsat basso

Caratteristiche meccaniche

Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica

Design compatto

Tecnologia dei contatti a saldare

Montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati

Link consigliati