Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V

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Codice RS:
244-5385
Codice costruttore:
FP15R12W1T4BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Numero transistor

7

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

FP15R12W1T4B

Lunghezza

62.8mm

Altezza

12mm

Larghezza

33.8 mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT Infineon è adatto per inverter ausiliari, azionamenti per motori, condizionamento d'aria, ecc.

Caratteristiche elettriche

Basse perdite di commutazione, basso design induttivo

IGBT Trench 3

VCEsat con coefficiente di temperatura positivo

VCEsat basso

Caratteristiche meccaniche

Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica

Design compatto

Tecnologia dei contatti a saldare

Montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati

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