Codice costruttore

Modulo IGBT Infineon FP10R12W1T4BOMA1, VCE 1200 V

Name: Modulo IGBT Infineon FP10R12W1T4BOMA1, VCE 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5384
Price: 44.51 EUR
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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	Modulo IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	1200V
	Dissipazione di potenza massima Pd	105W
	Numero transistor	7
	Tensione emettitore gate massima VGEO	20 V
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT	2.25V
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	62.8mm
	Larghezza	33.8 mm
	Altezza	12mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Serie	FP10R12W1T4B
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto Modulo IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V
	Dissipazione di potenza massima Pd 105W
	Numero transistor 7
	Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.25V
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 62.8mm
	Larghezza 33.8 mm
	Altezza 12mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Serie FP10R12W1T4B
	Standard automobilistico No

Il modulo IGBT Infineon è adatto per inverter ausiliari, azionamenti per motori, condizionamento d'aria, ecc.

Caratteristiche elettriche

Basse perdite di commutazione

IGBT Trench 3

VCEsat con coefficiente di temperatura positivo

VCEsat basso

Caratteristiche meccaniche

Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica

Design compatto

Tecnologia dei contatti a saldare

Montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati

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