Codice costruttore

Modulo IGBT Infineon FP75R12KT4B11BOSA1, VCE 1200 V

Name: Modulo IGBT Infineon FP75R12KT4B11BOSA1, VCE 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5848
Price: 162.67 EUR
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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	Modulo IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	1200V
	Dissipazione di potenza massima Pd	385W
	Numero transistor	7
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO	20 V
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT	2.15V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Serie	FP75R12KT4B11B
	Lunghezza	122mm
	Altezza	17mm
	Larghezza	62 mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto Modulo IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V
	Dissipazione di potenza massima Pd 385W
	Numero transistor 7
	Minima temperatura operativa -40°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.15V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Serie FP75R12KT4B11B
	Lunghezza 122mm
	Altezza 17mm
	Larghezza 62 mm
	Standard automobilistico No

Il modulo IGBT infineon è adatto per inverter ausiliari, azionamenti per motori, servomotori, ecc.

Caratteristiche elettriche

Basse perdite di commutazione

Tvj op = 150° C

VCEsat con coefficiente di temperatura positivo

Basso VCEsat

Caratteristiche meccaniche

Elevata potenza e capacità di cicli termici

Sensore di temperatura NTC integrato

Piastra di base in rame

Tecnologia dei contatti Pressfit

Contenitore standard

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