Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A
- Codice RS:
- 244-5848
- Codice costruttore:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5848
- Codice costruttore:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Dissipazione di potenza massima | 385 W | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 7 | ||
Dissipazione di potenza massima 385 W | ||
Il modulo IGBT infineon è adatto per inverter ausiliari, azionamenti per motori, servomotori, ecc.
Caratteristiche elettriche
Basse perdite di commutazione
Tvj op = 150° C
VCEsat con coefficiente di temperatura positivo
Basso VCEsat
Caratteristiche meccaniche
Elevata potenza e capacità di cicli termici
Sensore di temperatura NTC integrato
Piastra di base in rame
Tecnologia dei contatti Pressfit
Contenitore standard
Basse perdite di commutazione
Tvj op = 150° C
VCEsat con coefficiente di temperatura positivo
Basso VCEsat
Caratteristiche meccaniche
Elevata potenza e capacità di cicli termici
Sensore di temperatura NTC integrato
Piastra di base in rame
Tecnologia dei contatti Pressfit
Contenitore standard