Modulo IGBT Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1, VCE 1200 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-5391
Codice costruttore:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

7

Dissipazione di potenza massima Pd

175W

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

51mm

Altezza

12mm

Larghezza

42.5 mm

Serie

FP25R12W2T4B11B

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT Infineon la massima corrente di collettore di Peak ripetitiva nominale è di 50 A e la massima tensione di saturazione del collettore-emettitore 2,25 V, la tensione di soglia del gate è di 6,4 V.

Corrente di taglio del collettore-emettitore 1,0 ma

Temperatura in condizioni di commutazione 150 °C.

Corrente di dispersione emettitore gate 400 na

Capacità di trasferimento inverso 0,05 NF

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