Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 39 A
- Codice RS:
- 244-5389
- Codice costruttore:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 53,691 € | 805,37 € |
| 30 + | 51,005 € | 765,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5389
- Codice costruttore:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 39 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 175 W | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 39 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 175 W | ||
Numero di transistor 7 | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF