Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A
- Codice RS:
- 244-5377
- Codice costruttore:
- FP100R12KT4B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5377
- Codice costruttore:
- FP100R12KT4B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 515 W | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 515 W | ||
Numero di transistor 7 | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and servo drives etc.
Electrical features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing