Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V

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Codice RS:
244-5374
Codice costruttore:
FP100R12KT4B11BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

7

Dissipazione di potenza massima Pd

515W

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

122mm

Larghezza

62 mm

Serie

FP100R12KT4B11

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

17mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
HU
Il modulo IGBT Infineon è adatto per inverter ausiliari, azionamenti per motori, servoazionamenti, ecc.

Caratteristiche elettriche

Basse perdite di commutazione

Tvj op = 150° C.

VCEsat con coefficiente di temperatura positivo

VCEsat basso

Caratteristiche meccaniche

Elevata potenza e capacità di ciclo termico

Sensore di temperatura NTC integrato

Piastra di base in rame

Tecnologia di contatto Pressfit

Contenitore standard

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