Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V

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Codice RS:
244-5846
Codice costruttore:
FP75R12KT4B11BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

7

Dissipazione di potenza massima Pd

385W

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.15V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

122mm

Altezza

17mm

Larghezza

62 mm

Serie

FP75R12KT4B11B

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT infineon è adatto per inverter ausiliari, azionamenti per motori, servomotori, ecc.

Caratteristiche elettriche

Basse perdite di commutazione

Tvj op = 150° C

VCEsat con coefficiente di temperatura positivo

Basso VCEsat

Caratteristiche meccaniche

Elevata potenza e capacità di cicli termici

Sensore di temperatura NTC integrato

Piastra di base in rame

Tecnologia dei contatti Pressfit

Contenitore standard

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