Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*

1045,67 €

(IVA esclusa)

1275,72 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Vassoio*
10 +104,567 €1.045,67 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-5379
Codice costruttore:
FP100R12KT4BOSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

515W

Numero transistor

7

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

62 mm

Serie

FP100R12KT4

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

122mm

Altezza

17mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT Infineon la massima corrente di collettore di Peak ripetitiva nominale è di 200 A e tensione di soglia di saturazione collettore-emettitore di 2,20 V, la tensione di soglia gate è di 6,4 V.

Corrente di taglio del collettore-emettitore 1,0 ma

Temperatura in condizioni di commutazione 150 °C.

Corrente di dispersione emettitore gate 100 na

Capacità di trasferimento inverso 0,27 NF

Link consigliati