Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A
- Codice RS:
- 248-1202
- Codice costruttore:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 248-1202
- Codice costruttore:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 85 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 4 | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 85 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 4 | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Infineon produce questo modulo IGBT EasyPACK 2B 650 V, 100 A a 3 livelli con Trench/Fieldstop IGBT H3 e diodo rapido e PressFIT/NTC. Questo dispositivo offre un design compatto facile da usare e prestazioni ottimizzate. Il dispositivo offre vantaggi aggiuntivi come una maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V, un design a bassa induttività, basse perdite di commutazione e bassa VCE, saturazione. Utilizza un substrato Al2O3 con bassa resistenza termica e tecnologia dei contatti PressFIT. Questo dispositivo offre un montaggio robusto grazie al morsetto di montaggio integrato. Questo dispositivo utilizza la tecnologia IGBT HighSpeed 3.
Migliore rapporto costi/prestazioni con costi di sistema ridotti
Elevato grado di libertà nella progettazione
Massima efficienza e densità di potenza
Elevato grado di libertà nella progettazione
Massima efficienza e densità di potenza