IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 12 A, canale N, TO-263, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 273-2968
- Codice costruttore:
- IKB06N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 48 | 2,41 € | 4,82 € |
| 50 - 98 | 2,035 € | 4,07 € |
| 100 - 248 | 1,595 € | 3,19 € |
| 250 - 498 | 1,465 € | 2,93 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2968
- Codice costruttore:
- IKB06N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 12A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 88W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.05V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | |
| Lunghezza | 9.45mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Larghezza | 10.31mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 12A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 88W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.05V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | ||
Lunghezza 9.45mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Larghezza 10.31mm | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT3 di Infineon compatto con diodo a rotazione libera a pieno titolo in un contenitore TO263 D2Pak, porta a un significativo miglioramento delle prestazioni statiche e dinamiche del dispositivo, grazie alla combinazione di concetto trench-cell e fieldtop. La combinazione di
Elevata robustezza e comportamento stabile in termini di temperatura
Distribuzione dei parametri molto stretta
Elevata affidabilità del dispositivo
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