MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 750 V, 58 mΩ Miglioramento, 30 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie SCT060HU75G3AG

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Codice RS:
152-109
Codice costruttore:
SCT060HU75G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

HU3PAK

Serie

SCT060HU

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±18 V

Tensione diretta Vf

3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

14.1mm

Larghezza

19 mm

Altezza

3.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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