MOSFET Infineon, canale N, 611 A, PG-WHTFN-9, Montaggio superficiale

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Codice RS:
348-877
Codice costruttore:
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

611 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

OptiMOS 6

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 0,45 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del Centre-Gate è ottimizzato per la parallelizzazione.

Riduzione della sovra-estensione di tensione
Aumento della capacità di corrente massima
Commutazione rapida

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