MOSFET Infineon, canale N, 323 A, PG-WHSON-8, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
348-893
Codice costruttore:
IQD016N08NM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

323 A

Tensione massima drain source

80 V

Tipo di package

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 1,57 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza.

Perdite di conduzione ridotte al minimo
Commutazione rapida
Riduzione della sovra-estensione di tensione

Link consigliati