MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 30 V, 4.0 mΩ Miglioramento, 22 Pin, WLCSP-2020, Superficie AW2K21AR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-361
Codice costruttore:
AW2K21AR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

AW2K21

Tipo di package

WLCSP-2020

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.0mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2cm

Altezza

0.5cm

Larghezza

2 cm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per garantire prestazioni ottimali in applicazioni ad alta efficienza. Questo MOSFET a sorgente comune Nch supporta una tensione massima drain-source di 30 V e una corrente di drenaggio continua di ±20 A, il che lo rende una scelta ideale per la commutazione del carico e le funzionalità di protezione. Questo dispositivo è inoltre conforme agli standard RoHS, contribuendo a pratiche di progettazione rispettose dell'ambiente nell'elettronica moderna.

La bassa resistenza di accensione di 4,0 mΩ massimizza l'efficienza energetica

Elevata capacità di potenza con una dissipazione di potenza nominale di 1,6 W

Ottimizzato per applicazioni di piccole dimensioni con design WLCSP

La placcatura del piombo senza piombo migliora la saldabilità e la conformità ambientale

Il rivestimento posteriore riduce il rischio di corrosione e migliora la durata

L'ampia gamma di temperature d'esercizio, da -55 °C a +150 °C, garantisce l'affidabilità in diverse condizioni

Include funzioni di protezione ESD per proteggere contro le scariche elettrostatiche

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