MOSFET singoli ROHM, canale N 30 V, 4.0 mΩ Miglioramento, 20 A, 22 Pin, WLCSP-2020, Superficie AW2K21AR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-361
Codice costruttore:
AW2K21AR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WLCSP-2020

Serie

AW2K21

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.0mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

20mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

5mm

Lunghezza

20mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per garantire prestazioni ottimali in applicazioni ad alta efficienza. Questo MOSFET a sorgente comune Nch supporta una tensione massima drain-source di 30 V e una corrente di drenaggio continua di ±20 A, il che lo rende una scelta ideale per la commutazione del carico e le funzionalità di protezione. Questo dispositivo è inoltre conforme agli standard RoHS, contribuendo a pratiche di progettazione rispettose dell'ambiente nell'elettronica moderna.

La bassa resistenza di accensione di 4,0 mΩ massimizza l'efficienza energetica

Elevata capacità di potenza con una dissipazione di potenza nominale di 1,6 W

Ottimizzato per applicazioni di piccole dimensioni con design WLCSP

La placcatura del piombo senza piombo migliora la saldabilità e la conformità ambientale

Il rivestimento posteriore riduce il rischio di corrosione e migliora la durata

L'ampia gamma di temperature d'esercizio, da -55 °C a +150 °C, garantisce l'affidabilità in diverse condizioni

Include funzioni di protezione ESD per proteggere contro le scariche elettrostatiche

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