MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.021 Ω Miglioramento, 14 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SI7120BDN-T1-GE3

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Codice RS:
904-972
Codice costruttore:
SI7120BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.021Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

19.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

ROHS

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione, offrendo prestazioni migliorate in varie applicazioni elettroniche grazie a funzioni avanzate e robusta affidabilità.

La tecnologia TrenchFET Gen IV ottimizza l'efficienza e riduce le perdite di potenza

testato al 100% per R e UIS, garantendo un'affidabilità costante

La struttura senza piombo (Pb) rispetta gli standard ambientali

Le caratteristiche di commutazione ottimizzate supportano le applicazioni ad alta velocità

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