MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5896
Codice costruttore:
IRF540NSTRRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 33 A, dissipazione di potenza massima di 130 W - IRF540NSTRRPBF


Questo MOSFET di potenza a canale N è stato progettato specificamente per applicazioni ad alta efficienza e offre prestazioni significative in vari sistemi elettronici. Eccelle negli ambienti ad alta corrente, dove l'affidabilità e la bassa resistenza sono essenziali. I suoi miglioramenti lo rendono particolarmente utile nei settori dell'automazione e della gestione dell'energia.

Caratteristiche e vantaggi


• Il basso RDS(on) riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento

• La capacità di corrente di drenaggio continua di 33A supporta diverse applicazioni

• L'ampio intervallo di tensione gate-source offre flessibilità di progettazione

• Resiste a temperature elevate fino a 175°C

• La commutazione rapida migliora l'efficienza complessiva del circuito

• Il design a montaggio superficiale D2PAK facilita l'integrazione su PCB

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione per l'automazione

• Comunemente implementato nei convertitori DC-DC per l'efficienza energetica

• Adatto per l'azionamento del motore che richiedono una corrente elevata

• Si trova nei moduli di alimentazione per l'elettronica industriale

• Adatto per il settore automobilistico grazie alle solide prestazioni termiche

Qual è il significato di un RDS(on) basso durante il funzionamento?


Il basso livello di RDS(on) riduce la generazione di calore e migliora l'efficienza energetica, un fattore cruciale per prolungare la durata dei componenti e ridurre i costi di esercizio.

Come si comporta il MOSFET a temperature più elevate?


Funziona in modo affidabile fino a 175°C, garantendo stabilità in condizioni estreme e soddisfacendo le esigenze di prestazioni senza guasti.

Questo dispositivo può gestire correnti pulsate e quali sono le specifiche?


Supporta correnti di drenaggio pulsate fino a 110A, gestendo in modo efficace brevi raffiche di potenza elevata, rendendolo ideale per applicazioni con condizioni di carico fluttuanti.

Quali sono le implicazioni della tensione di soglia del gate specificata?


L'intervallo di tensione di soglia del gate, compreso tra 2 e 4 V, indica la tensione necessaria per avviare la conduzione, fornendo informazioni essenziali per l'integrazione del progetto nei circuiti di controllo.

In che modo il pacchetto D2PAK influisce sulla sua utilizzabilità?


Il design del package D2PAK favorisce un'efficiente dissipazione del calore e semplifica l'assemblaggio a montaggio superficiale, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta potenza su PCB compatti.

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