MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 22 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6920
Codice costruttore:: SIS415DNT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 22 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-6920
Codice costruttore:: SIS415DNT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiS415DNT, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	22 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	52 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Lunghezza	3.4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	117 nC a 10 V
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 22 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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