MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.0117 Ω, 35 A 40 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin

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Codice RS:
180-7360
Codice Distrelec:
303-97-243
Codice costruttore:
SIS443DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0117Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.61 mm

Altezza

0.79mm

Lunghezza

3.61mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 13,7 ms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 52W e corrente di drain continua di 35A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori adattatori

• convertitori c.c./c.c.

• interruttori di carico

• Mobile computing

• Computer notebook

• Gestione dell'alimentazione

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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