MOSFET onsemi, canale N, 400 mΩ, 750 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:
166-2658
Codice costruttore:
FDG8850NZ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

750 mA

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOT-363

Serie

PowerTrench

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

400 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.65V

Dissipazione di potenza massima

360 mW

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Lunghezza

2mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

1,03 nC a 4,5 V

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

1.25mm

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.
Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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